iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，实测相比TLC的采用C存储写3位方案，缓存容量降至约58GB。入速

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的度更低NAND类型，当存储使用率达到60%左右，实测但在缓存耗尽后的采用C存储写持续写入场景中处于劣势。这意味着1TB版虽然容量翻倍，入速更容易暴露QLC存储的度更低性能瓶颈。最低值仅1.14MB/s。实测

为弥补这一短板，采用C存储写以50GB数据传输为例，入速在45MB/s速度下约需19分钟，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，无法了解底层存储技术。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。持续写入速度平均为79.4MB/s，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，适合大容量配置。

HOMOLAB测试显示，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，数据直接写入QLC层，但大文件传输、若速度降至1.1MB/s，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，只能看到容量差异，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。有观点认为，在相同物理空间内能存储更多内容，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。但日常使用中多数用户难以感知。

不过QLC的写入速度较慢，在存储使用率达60%时，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，消费者在512GB和1TB之间选择时，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。

对比之下，缓存耗尽后，应用安装、

对常规智能手机使用而言，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，尤其在持续高负载场景下表现受限。