捅破AI存储天花板！闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存：1Tb容量+4.8Gb/s

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，捅破天花写入能效提升18%，存储出层

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，板闪BiCS10的迪铠NAND接口速度达到4.8Gb/s，该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，侠联

性能方面，手推闪存采用332层堆叠设计。容量

能效表现方面，捅破天花实现了超过29Gb/mm²的存储出层业界领先存储密度。其一是板闪CMOS直接键合到阵列技术，较BiCS8提升了33%。迪铠

技术层面，侠联第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。手推闪存专为AI训练、容量位密度提升59%，捅破天花通过优化存储单元的排列布局来提升密度。目前没有公布具体的单颗售价。推理及大规模云工作负载设计。读取能效提升30%。这两项技术的成熟与迭代，SCA协议及PI-LTT低功耗技术。为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，首款产品为1Tb TLC型号，输入功耗较BiCS8降低10%，

7月3日消息，输出功耗降低34%。

其二是间距选择栅极漏极技术，其中数据中心领域增速达46%。

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、闪迪与铠侠联合宣布，